1、超低损耗（ <1 dB/cm）、超高耦合效率单模SOI硅光波导技术（已默认发展具有一般指标的SOI硅光波导技术）。
2、面向批量制造的大规模、可重复硅光无源器件技术。
3、硅基调制器技术（载流子扩散法，而非注入）。
4、氮化硅波导及其耦合技术。
5、硅基3D集成技术，如硅光波导和氮化硅波导的3D集成。
6、磷化铟、砷化镓等有源器件（仅限结构）的加工及与硅或氮化硅的集成封装技术。
7、超低损耗、超高耦合薄膜铌酸锂波导的加工技术（已默认发展具有一般指标的薄膜铌酸锂波导技术）。
8、大规模、多种类薄膜铌酸锂波导和器件的制造技术。
9、薄膜铌酸锂波导（一般指标）与硅或氮化硅的集成技术。
10、薄膜铌酸锂波导（一般指标）与有源器件的集成封装技术。
11、 锗薄膜和结构的制造及其与硅或氮化硅的集成技术。
12、硫系玻璃薄膜和结构的制造及其与硅或氮化硅的集成技术。
13、亚20nm硅结构技术。
14、超大规模金属超材料加工技术。
15、超大规模硅超材料加工技术。
16、超大规模其它介质超材料加工技术。（如选择此项，请注明为何种介质、何种衬底）
17、硅基MEMS技术。
18、硅基CMOS IC的后端处理技术（可在该IC芯片上继续制作其它光电子器件）。
19、表面等离子波导和器件技术。
20、聚合物波导和器件技术。